MRAM技術的硬盤隨機性能炸裂
2018-01-16 14:33:23
Everspin基于MRAM技術的nvNITRO ES1GB、ES2GB硬盤，雖然容量只有1-2GB，但是4K隨機性能高達150萬IOPS，延遲只有6微秒，遠遠高于目前的企業(yè)級SSD硬盤。
NAND閃存是目前非易失性存儲芯片中的主流芯片，雖然這一年來的漲價、缺貨讓不少消費者、廠商的心七上八下，，但是大家也沒有別的選擇。在新一代存儲芯片技術中，MRAM（磁阻隨機存取存儲器）被業(yè)界看好，因為它同時具備SRAM的快速及非易失性閃存的特點，只不過目前的MRAM閃存大部分還處在研發(fā)階段，還沒有真正上市。Everspin公司日前宣布將于今年Q2季度上市基于MRAM技術的nvNITRO ES1GB、ES2GB硬盤，別看容量才1-2GB，但是4K隨機性能高達150萬IOPS，延遲只有6微秒，遠遠高于目前的企業(yè)級SSD硬盤。
目前MRAM技術大都是基于ST（Spin-transfer torque，自旋鈕轉換）技術，Everspin公司的nvNITRO硬盤也不例外，它基于該公司的256Mb DDR3 ST-MRAM芯片打造，目前實現(xiàn)的容量是1GB和2GB，分別使用32顆、64顆ST-MRAM芯片，接口則是PCI-E 3.0 8x，HHHL半高半長規(guī)格，支持NVMe標準。
官方通告中沒有提及隨機讀寫速度，只給出了4K QD=32隨機性能高達150萬IOPS，延遲則只有6微秒，這個指標放在高端企業(yè)級SSD中也是非常強悍的，Aanandtech網(wǎng)站給出的兩個例子就是Intel最強企業(yè)級硬盤DC P3700延遲有20微秒，HGST企業(yè)級SSD Ultrastar SN260硬盤隨機性能也不過120萬IOPS。
根據(jù)Everspin公司所說，他們預計Q2季度正式推出nvNITRO硬盤，會有U.2、M.2等其他規(guī)格的產品，容量也會涵蓋512MB到8GB范圍。
除此之外，過段時間他們還會推出基于DDR4界面的1Gb ST-MRAM芯片，硬盤容量可以達到4-16GB了。
本文關鍵詞：
NAND閃存 MRAM
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