替代型內(nèi)存崛起
2017-10-30 14:46:46
DDR5標準出現(xiàn)的時間，大約就是JEDEC為支持一系列DRAM與持久型內(nèi)存組合的內(nèi)存模塊發(fā)布NVDIMM-p (非揮發(fā)性DIMM)界面之際。英特爾(Intel)表示將在明年推出采用其3D XPoint芯片的服務(wù)器DIMM；其他公司也預(yù)計將推出采用3D NAND的NVDIMM-p內(nèi)存。
相較于傳統(tǒng)的DRAM模塊，新版內(nèi)存預(yù)計將在密度和延遲方面更具優(yōu)勢。不過，預(yù)計其價格也將會更高，而DRAM可望維持原始速度的優(yōu)勢。
市場研究公司W(wǎng)ebFeet Research總裁Alan Niebel表示：“市場將會非常需要DDR5...但它仍然是DRAM，而且也很耗電。它推動了傳統(tǒng)的馮•諾伊曼(Von Neuman)系統(tǒng)進展，但我們?nèi)匀恍枰掷m(xù)推出持久型內(nèi)存替代方案，以及新的運算模式。”
事實上，Hewlett-Packard Enterprise (HPE)已經(jīng)發(fā)布了一款采用Gen-Z內(nèi)存接口的原型系統(tǒng)。Gen-Z是在今年8月才推出的全新內(nèi)存架構(gòu)。
WebFeet首席分析師Gil Russell表示：“許多人并不看好DDR5能成為下一代的內(nèi)存接口。”
DRAM的工藝技術(shù)微縮正趨近于其核心電容器的實體限制，這使得Russell等業(yè)界分析師預(yù)期這種內(nèi)存設(shè)計將在未來的5至10年內(nèi)終結(jié)。他強調(diào)，更高的錯誤率必須在芯片上建置糾錯程序代碼的電路。
然而，內(nèi)存領(lǐng)域“是一個真正進展緩慢的領(lǐng)域。”Russell說：“要讓DIMM獲得市場的認可，大概就得花一年的時間，而且大家總想要以盡可能最低的成本導(dǎo)入。”
同時，為了進一步提高速度與密度，AMD和Nvidia的高階繪圖處理器(GPU)已經(jīng)改用高帶寬的內(nèi)存芯片堆棧了。Rambus的Dhulla指出，芯片堆棧仍然是一種昂貴的途徑，僅限于用在高階的GPU、FPGA以及通訊ASIC。
Dhulla表示，“DDR5顯然是開啟大量機會的理想途徑。但目前業(yè)界較大的爭論焦點是在DDR5之后以及2023年以后將如何發(fā)展。因此，我們的實驗室也正著眼于多種替代方案。”
本文關(guān)鍵詞：
DDR5
相關(guān)文章：
MRAM開啟新時代，四大晶圓廠搶先入局
深圳市英尚微電子有限公司，十年來專業(yè)致力代理分銷存儲器芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,為客人提供性價比更高的產(chǎn)品及方案。
了解更多關(guān)于存儲芯片知識，請關(guān)注英尚微電子：http://m.duotete.com
