Everspin MR2A16Axxx35可替換賽普拉斯CY14B104NA-BA

 

用Everspin的MR2A16Axxx35 MRAM替換賽普拉斯CY14B104NA-BA/ZS45XI nvSRAM

 

每次使用MRAM進行寫操作都會立即保持至少20年的非易失性。沒有數據從易失性存儲單元傳輸到非易失性存儲單元，也沒有外部電容器或備用電池。消除了外部組件，高度可靠的數據保留以及35ns SRAM兼容的讀/寫訪問時間，使Everspin MRAM成為替代Cypress CY14B104NA-BA / ZS45XI nvSRAM的可行選擇，而不會影響系統性能。

 

Everspin是商業上可行的MRAM技術的全球領導者，Everspin MRAM產品出現在數百個需要高速，可靠，非易失性存儲器的應用中。

 

Everspin MRAM解決方案提供：

•始終非易失。沒有不可靠的電容器相關備用周期

•不需要Vcap或Vbatt

•立即斷電（<1ns），無數據丟失

•沒有復雜的軟件存儲/調用例程

•快速啟動時間（2ms和20ms）

•無限的讀寫周期-無磨損問題

•20年數據保留，無循環依賴

•更少的組件意味著更小的設計尺寸和更低的BOM成本

•直接替代賽普拉斯NV-SRAM

 

Everspin MR2A16AxYS35（44-TSOP2）和MR2A16AxMA35（FBGA）存儲器的引腳，時序和封裝分別與CYPRESS CY14B104NA-ZS和CY14B104NABA nvSRAM兼容。

 

Everspin MRAM和nvSRAM都具有標準的兼容異步SRAM時序。但是MRAM即使在斷電后無限制的時間和整個溫度循環中也可以保留數據。 MRAM具有35 ns的讀/寫周期時間，與類似的nvSRAM速度等級選項兼容。

 

請務必注意，Everspin MR2A16Axxx器件至少需要12ns的保持時間，從寫使能（和芯片使能）高到地址無效。大多數微處理器可以容納這個保持時間。


Everspin MR2A16Axxx35x系列型號表格

Density	Org.	Part Number	Pkg.	Voltage	Temp	MOQ(pcs)/ T&R
4Mb	256Kx16	MR2A16AYS35	44-TSOP	3.3V	Commercial	1,500
4Mb	256Kx16	MR2A16ACYS35	44-TSOP	3.3V	Industrial	1,500
4Mb	256Kx16	MR2A16AVYS35	44-TSOP2	3.3V	Extended	1,500
4Mb	256Kx16	MR2A16AMYS35	44-TSOP2	3.3V	AEC-Q100 Grade 1	1,500
4Mb	256Kx16	MR2A16AMA35	48-BGA	3.3V	Commercial	2,000
4Mb	256Kx16	MR2A16ACMA35	48-BGA	3.3V	Industrial	2,000
4Mb	256Kx16	MR2A16AVMA35	48-BGA	3.3V	Extended	2,000

本文關鍵詞： MRAM

相關文章：Everspin MRAM解決方案的新應用程序

深圳市英尚微電子有限公司是一家專業的靜態隨機記憶體產品及方案提供商，十年來專業致力代理分銷存儲芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,為客人提供性價比更高的產品及方案。
英尚微電子中國區指定的授權代理：VTI、NETSOL、JSC濟州半導體(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC； 著名半導體品牌的專業分銷商  如：RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。