基于NAND閃存的SSD解決方案的STT-MRAM

作為克服現有基于NAND閃存的SSD的解決方案，Everspin提供具有ST-DDR3和ST-DDR4接口的STT-MRAM，可通過提供高速非易失性存儲來提高SSD的系統性能和可靠性。機上數據。通過添加STT-MRAM來補充或替換SSD控制器的DDR總線上的易失性DRAM（圖1），SSD控制器現在可以將該高速非易失性存儲器用于寫緩沖區和之前運行的任何其他關鍵數據易揮發的。
 
對于企業級固態硬盤，電源管理系統的設計很重要。系統必須檢測電源故障，將驅動器與主機隔離，并用足夠的能量存儲來支撐驅動器，以允許將任何運行中的數據提交到非易失性存儲器中，以確保數據完整性。完成此操作所需的保持能量與飛行中的數據量，非易失性存儲器的速度和系統的功耗成正比。可以將這種保持能量存儲提供的時間量視為電源故障窗口或在耗盡保持能量之前可用于存儲不受保護的數據的時間。
 
為了支持由不同等級的不同內存類型組成的異構DDR架構，理想情況下，SSD控制器中包含的DDR控制器需要支持處理STT-MRAM的不同時序和尋址要求，以實現最佳性能。 SSD控制器還必須采用其他邏輯來正確管理DDR控制器緩沖區中正在傳輸的少量常駐數據，以確保在斷電之前將管線刷新到STT-MRAM并關閉STT-MRAM中的所有打開頁面。Everspin代理英尚微電子提供不同容量大小的MRAM芯片

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