NAND閃存競(jìng)爭愈演愈烈

    繼以DRAM為代表的高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）之后，人工智能（AI）存儲(chǔ)器半導(dǎo)體領(lǐng)域的NAND閃存市場(chǎng)競(jìng)爭愈演愈烈。
 
    三星電子和SK海力士正在加大力度提升NAND技術(shù)和產(chǎn)品的性能和容量，以應(yīng)對(duì)不斷增長的人工智能需求。于4月開始量產(chǎn)業(yè)界首個(gè)1太比特(Tb)三層單元(TLC)第9代V-NAND，彰顯其領(lǐng)先技術(shù)。
 
    在激烈的分層競(jìng)爭中，三星電子繼主打產(chǎn)品236層第八代V-NAND之后，又推出了290層第九代V-NAND，占據(jù)了市場(chǎng)主動(dòng)。
 
    第九代V-NAND采用新一代NAND閃存接口Toggle5.1，數(shù)據(jù)輸入輸出速度可達(dá)每秒3.2千兆位（Gbps），較第八代V-NAND提升33%。
 
    三星電子計(jì)劃以其第9代V-NAND引領(lǐng)AISSD市場(chǎng)，旨在第二季度開發(fā)并提供超高容量64太字節(jié)(TB)SSD樣品。
 
    在鞏固了HBM領(lǐng)域領(lǐng)導(dǎo)地位后，SK海力士還顯露出了引領(lǐng)NAND領(lǐng)域AI內(nèi)存市場(chǎng)的雄心。
 
    SK海力士近期成功開發(fā)出用于設(shè)備內(nèi)置AI移動(dòng)NAND解決方案的“ZonedUFS4.0”（ZUFS4.0），將用于具備AI功能的智能手機(jī)。ZUFS4.0針對(duì)移動(dòng)設(shè)備內(nèi)置AI進(jìn)行了優(yōu)化，據(jù)稱可提供業(yè)界最高的性能。與傳統(tǒng)UFS相比，它在長期使用環(huán)境下可將智能手機(jī)上的應(yīng)用啟動(dòng)時(shí)間縮短約45%，同時(shí)還將讀寫性能降低4倍，并將產(chǎn)品使用壽命延長約40%。
 
    SK海力士計(jì)劃積極增加高性能16通道企業(yè)級(jí)SSD（eSSD）及其子公司Solidigm基于QLC的大容量eSSD的銷售。SK海力士還將及時(shí)推出適用于AIPC的PCIe第五代消費(fèi)級(jí)SSD（cSSD），并優(yōu)化產(chǎn)品陣容以滿足市場(chǎng)需求。
 
    AI讓原本舉步維艱的NAND市場(chǎng)重新煥發(fā)活力，AI服務(wù)器采購量的爆發(fā)式增長也帶動(dòng)了AI服務(wù)器所需的高性能、大容量SSD需求的大幅上漲。配備設(shè)備內(nèi)置AI的個(gè)人電腦和智能手機(jī)的發(fā)布也推動(dòng)了對(duì)NAND的需求。


本文關(guān)鍵詞：NAND閃存

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