高性能異步SRAM技術角度

當前有兩個不同系列的異步SRAM：快速SRAM(支持高速存取)和低功耗SRAM(低功耗)。從技術角度看來，這種權衡是合理的。在低功耗SRAM中，通過采用特殊柵誘導漏極泄漏(GIDL)控制技術控制待機電流來控制待機功耗。這些技術需要在上拉或下拉路徑中添加額外的晶體管，因此會加劇存取延遲，而且在此過程中會延長存取時間。在快速SRAM中，存取時間占首要地位，因此不能使用這些技術。此外要減少傳播延遲，需要增大芯片尺寸。芯片尺寸增大會增大漏電流，從而增加整體待機功耗。
 
微控制器很久以前就有了深度睡眠工作模式。這種工作模式有助于為大部分時間都處于待機狀態(tài)下的應用省電。該控制器可在正常工作中全速運行，但事后則進入低功耗模式，以便節(jié)省電源。使所連接的SRAM也具有類似的工作模式很重要。具有深度睡眠工作模式[5]的異步快速SRAM是這類應用的理想選擇。這種SRAM芯片有一個附加輸入引腳，有助于用戶在不同的工作模式(正常、待機和深度睡眠)間切換。因此可在不影響性能的情況下管理低功耗。
 
到目前位置的典型SRAM應用接受這種權衡：電池供電應用使用低功耗SRAM(降低性能)，有線工業(yè)高性能應用則使用快速SRAM。不過對于物聯(lián)網(wǎng)及其它眾多高級應用來說，這種權衡不再適用。主要原因是對于大部分這些應用而言，不僅高性能很重要，同時還必須限制待機功耗，因為這些應用大多采用電池供電工作。非常幸運的是，SRAM正在縮小這兩個系列之間的性能差距，正逐漸發(fā)展成具有這兩種優(yōu)勢的單芯片產(chǎn)品。我司英尚微VTI代理商,提供VTI SRAM芯片.

VTI快速異步SRAM部分型號

Density	Org.	Part Name	Temp.	Vcc(V)	Speed	Package	Packing
32Mbit	4M x 8	VTI532LF08TM	Industrial	1.8	8/10	48TSOP1	Tray
32Mbit	4M x 8	VTI532LF08LM	Industrial	1.8	8/10	48BGA	Tray
32Mbit	4M x 8	VTI532NF08TM	Industrial	3.3	8/10	48TSOP1	Tray
32Mbit	4M x 8	VTI532NF08LM	Industrial	3.3	8/10	48BGA	Tray
32Mbit	2M x 16	VTI532LF16TM	Industrial	1.8	8/10	48TSOP1	Tray
32Mbit	2M x 16	VTI532LF16LM	Industrial	1.8	8/10	48BGA	Tray
32Mbit	2M x 16	VTI532NF16TM	Industrial	3.3	8/10	48TSOP1	Tray
32Mbit	2M x 16	VTI532NF16LM	Industrial	3.3	8/10	48BGA	Tray

 
本文關鍵詞： 異步SRAM

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