三星 3D NAND 快閃存儲器新廠上半年投產(chǎn)

        近日三星電子宣布，設(shè)立在首爾南方的新芯片廠施工進度順利，將如期于 2017 上半年投產(chǎn)。
        三星新存儲芯片廠于 2015 年動土，共投入 15．6 萬億韓元（約 144 億美元）建廠，為三星史上最大單一產(chǎn)線投資項目。據(jù)三星表示，新廠第一階段施工目前已完成九成。
        新芯片廠主要用于生產(chǎn)高容量 3D 立體 NAND 快閃存儲器。快閃存儲器可取代傳統(tǒng)硬盤，并廣泛應(yīng)用于智能手機、數(shù)碼相機與其他 USB 界面儲存設(shè)備。
        市調(diào)機構(gòu) DRAMeXchange 日前指出，三星穩(wěn)坐去年第四季 NAND 快閃存儲器龍頭，受惠于供給吃緊、平均報價（ASP）飆升，三星 NAND 快閃存儲器當(dāng)季報價增加 5％、單位出貨量季增 11－15％，推升營收成長近兩成（19．5％），市占率來到 37．1％。東芝同期間 NAND 存儲器市占率達 18．3％，暫居第二。Western Digital 緊追在后，僅差東芝 0．6 個百分點。

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