MCU外設芯片MRAM持久儲存數據比閃存更長

MCU微控制器作為一個需要集成的CPU，SRAM，最常見的存儲方式主要包括非易失性存儲器及其專用外設芯片eDRAM，SRAM易失性存儲器，閃存，EEPROM非易失性存儲器，其中集成閃存是MCU主要特點。隨著時間的推移，閃存逐漸開始成為一種約束MCU提高性能、降低功耗的瓶頸之一。
 
MRAM數據存儲時間比閃存更長，MRAM與其他新興的非揮發性技術相比，編程人員可以靈活地應用內存。工程師不再需要將程序代碼限制在內NOR大小或限定數據只能在SRAM的大小，不僅優化了設計，而且通過讓同樣的基于MRAM的MCU在多種應用中，可以為一些客戶降低成本。
 
MRAM技術是STT-MRAM，做為MRAM一種變體，其周圍電子的自旋會影響MTJ極性。以其他方式的MRAM相比，STT-MRAM具有低功耗和進一步擴展的能力，雖然STT-MRAM具有與DRAM和SRAM相當特性，例如電源關閉，信息也不會丟失，和DRAM一樣可隨機存取；可擦寫頻率超過1015次，和DRAM及SRAM相當，大大超過了105次閃存等，但它似乎也可以在10nm完成以下過程，5nm引入技術節點STT-MRAM作為最后一級(L3)緩存存儲器的可行性，所以很多人認為，STT-MRAM會改變“存儲器(硬盤和NAND閃存)是非易失性、更高層次的內存（DRAM及SRAM）為易失性”傳統的計算機架構，是領先的存儲技術之一。


本文關鍵詞：SRAM,MRAM,DRAM

相關文章：?SDRAM與SRAM進行比較時的常見問題

深圳市英尚微電子有限公司是一家專業的靜態隨機記憶體產品及方案提供商，十年來專業致力代理分銷存儲芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,為客人提供性價比更高的產品及方案。
英尚微電子中國區指定的授權代理：VTI、NETSOL、JSC濟州半導體(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC； 著名半導體品牌的專業分銷商  如：RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。